适用于服务器的1.1kW ITTF(交错并联双晶体管正激)AC-DC转换器

本设计是一款面向服务器的AC-DC转换器,可将输入AC 90至264V转换为DC 12V,最大输出功率达1.1kW。
其搭载输出ORing电路,支持冗余运行模式。
在PCB上安装时,会根据高度选择组件,使其适用于1U尺寸的电源。
我们提供包括电路设计要点、使用说明、各部分调整方法、电路图、PCB布局数据等设计信息,以支持您的开发。

外观
TK165V60Z1 TK165V60Z1 TK165V60Z1 TK165V60Z1 TK165V60Z1 TW107Z65C TW107Z65C TW107Z65C TK024N60Z1 TK024N60Z1 TK024N60Z1 TPH1R306PL TPH1R306PL TPH1R306PL TPH1R204PL TPH1R204PL TPHR6503PL TPHR6503PL DCL541A01

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特点

  • 1U尺寸,80 PLUS Platinum级高效率(Vin=230V)
  • 转换效率: 93.1%(Vin=230V、100%负载)
  • 外形尺寸:315mm×205mm×43mm(含基板底部金属板)
  • 全面采用最新一代功率MOSFET与数字隔离器

说明

输入电压 AC 90V至264V
输出电压 DC 12V
输出功率 1.1kW
电路拓扑结构 图腾柱PFC+ITTF+ORing
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡,将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET PFC电路・2 N沟道SiC MOSFET、650V、0.107Ω(典型值)@18V、TO-247-4L(X)、第3代
功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) PFC电路・3 N沟道MOSFET、600V、0.024Ω@10V、TO-247、DTMOSⅥ
功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) ITTF电路・4 N沟道MOSFET、600V、0.165Ω@10V、DFN8×8、DTMOSⅥ
功率MOSFET(N沟道单通道30V<VDSS≤60V) ITTF电路・2 N沟道MOSFET、40V、0.00124Ω@10V、SOP Advance、U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单通道30V<VDSS≤60V) ITTF电路・4 N沟道MOSFET、60V、0.00134Ω@10V、SOP Advance、U-MOSⅨ-H
功率MOSFET(N沟道单通道VDSS≤30V) ORing电路・3 N沟道MOSFET、30V、0.00065Ω@10V、SOP Advance、U-MOSⅨ-H
标准数字隔离器 原边和副边之间的控制信号传输・1 高速四通道数字隔离器、高速、150Mbps、5000Vrms、16引脚SOIC宽体

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料,例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

应用

服务器
在设计服务器时,低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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