采用贴片式SiC MOSFET的AI服务器3kW电源

随着生成式人工智能 (Generation AI) 的快速发展，对高性能人工智能服务器的需求日益增长。本设计是一款专为高功耗AI服务器打造的3kW电源，搭载我们贴片式SiC MOSFET，实现了高功率密度。
我们提供电路各部分的设计技巧、操作方法以及电路图和PCB图案等设计信息，供您设计时参考使用。

电路板外观
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

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特点

  • 提供完整的功率器件（MOSFET和SiC二极管）及数字隔离器解决方案。
  • 通过采用贴片式器件实现高功率密度（与我们现有的设计相比提高了 34%）。
  • 总效率94.8%（Vin＝230V、100% 负载）

说明

输入电源电压 AC 180V至264V
输出电压 DC 50V
输出功率 3kW
电路拓扑结构 半无桥PFC、移相全桥＋同步整流、输出ORing电路
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB是在CR8000BD上设计的。其他文件均根据CR8000BD文件制作。

*2:数据是在CR8000BD上生成的。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET PFC电路・2 N沟通SiC MOSFET、650V、0.092Ω（典型值）@18V、DFN8×8、第3代
SiC肖特基势垒二极管 PFC电路・2 650V／12A SiC肖特基势垒二极管、DFN8×8
功率SiC MOSFET PSFB电路・4 N沟道SiC MOSFET、650V、0.027Ω（典型值）@18V、TOLL、第3代
功率MOSFET（N沟道150V<VDSS≤250V） PSFB电路・12 N沟道MOSFET、200V、0.029Ω@10V、DSOP Advance、U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单通道60V<VDSS≤150V） ORing电路・6 N沟道MOSFET、80V、0.0019Ω@10V、SOP Advance€、U-MOSⅩ-H
标准型数字隔离器 PSFB电路・1 高速四通道数字隔离器、高速、150Mbps、5000Vrms、16引脚SOIC宽体

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

应用

服务器
在设计服务器时，低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
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